センス層における磁化の混乱を防ぐ構造要素を有する磁気メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-018564
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284550
出願日： 2001年01月26日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】センス層の磁化の混乱を防ぐ構造要素を有する磁気メモリセルの提供。【解決手段】1つの実施形態において、構造要素56は、センス層50の磁化の保磁子としてはたらく高透磁率の磁性膜を含む。保磁子構造要素56は、減磁界をセンス層50から遠くに導く閉じた磁束経路を提供する。もう1つの実施形態において、構造要素56は、磁気メモリセル内のセンス層50に局所的な磁界を印加する硬強磁性薄膜を含む。

請求項（抜粋）：

磁気メモリセルの論理状態を示す磁化状態を記憶するためのセンス層(50)と、前記センス層(50)における前記磁化状態の混乱を防ぐ構造要素(56)とを含む磁気メモリセル。

IPC (4件)：

H01L 27/105 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

引用特許：

審査官引用 (4件)

メモリセル装置及び該メモリセル装置の製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-565541 出願人：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
磁気ランダム・アクセス・メモリの製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-590173 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
メモリセル装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-515275 出願人：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト

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