半導体レーザー

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-311475
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140719
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 DSC構造を有するAlGaInP系半導体レーザーにおいて、静特性と寿命特性とを同時に向上させる。【構成】 p型AlGaInP層5に、活性層4側から見て、低不純物濃度の領域と高不純物濃度の領域とを順次形成し、低不純物濃度の領域の不純物濃度は(0.5〜2)×1017cm-3に設定し、また低不純物濃度の領域は活性層4とp型AlGaInP層5との界面から測って30〜70nmの距離離す。

請求項（抜粋）：

活性層をn型クラッド層とp型クラッド層とによりはさんだダブルヘテロ構造を有するAlGaInP系の半導体レーザーにおいて、上記p型クラッド層に上記活性層側から見て第一の不純物濃度の領域と上記第一の不純物濃度よりも高い第二の不純物濃度の領域とが順次設けられ、上記第一の不純物濃度は(0.5〜2)×1017cm-3であり、上記第一の不純物濃度の領域は上記活性層と上記p型クラッド層との界面から測って30〜70nmの距離離れていることを特徴とする半導体レーザー。

前のページに戻る