特許

J-GLOBAL ID：200903009492900543

半導体装置

発明者： 矢部 弘男
出願人/特許権者： 矢崎総業株式会社
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-315516
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200387
出願日： 1997年11月17日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 チャージポンプを不要とし、低ノイズ、高安定度、高信頼性を有し、回路規模の縮小化を図れ、更に簡単な回路構成の半導体装置を提供すること。【解決手段】 ノーマリオン型静電誘導トランジスタ(SIT)32を有する駆動手段30と過熱状態から保護する過熱保護手段20とを設け、更に過熱保護手段20には、SIT32の同一の基板321上にポリシリコンを用いた過熱検出ダイオード242と、SIT32の過熱状態を検知する温度検出回路24と、SITをターンオフして負荷13への電流供給を遮断するゲート遮断回路25と、過熱検知信号244aを受けた際にゲート遮断回路25を駆動してSIT32をターンオフして負荷13の電流遮断状態を保持する自己保持回路26と、過熱検知状態の保持を解除するリセット回路264と、自己保持回路26の出力信号に応じて入力端子12に入力される信号をゲーティングするゲート回路266を設ける。

請求項（抜粋）：

負荷をスイッチング駆動する駆動手段及びこの駆動手段をスイッチング駆動時の過熱状態から保護するための過熱保護手段とを有する半導体装置において、前記駆動手段は、負荷をスイッチング駆動するためのノーマリオン型静電誘導トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H03K 17/08 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/80 ,  H03K 17/56

FI (5件)：

H03K 17/08 Z ,  H01L 27/06 101 S ,  H01L 29/78 657 G ,  H01L 29/80 V ,  H03K 17/56 Z