特許

J-GLOBAL ID：200903009494962120

荷電粒子ビーム照射方法及び装置

発明者： 秋山 浩 ,  平本 和夫 ,  松田 浩二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-057695
公開番号（公開出願番号）：特開平11-253563
出願日： 1998年03月10日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：

【要約】【課題】荷電粒子ビームを出射する加速器の制御が簡単で、かつ走査電磁石の電源のコストを低減できる荷電粒子ビーム照射方法及び照射装置を提供することにある。【解決手段】加速器10から出射された荷電粒子ビームを、電磁石31a,31bにより走査しがら、荷電粒子ビームの進行方向に患部を複数に分割してなる各層に照射する荷電粒子ビーム照射方法において、ある第1の層に照射する荷電粒子ビームの強度を、前記荷電粒子ビームの進行方向に対して前記第1の層よりも深い位置にある第2の層に照射する荷電粒子ビームの強度よりも低くする。

請求項（抜粋）：

加速器から出射された荷電粒子ビームを、電磁石により走査しながら、前記荷電粒子ビームの進行方向に患部を複数に分割してなる各層に照射する荷電粒子ビーム照射方法において、ある第1の層に照射する荷電粒子ビームの強度を、前記荷電粒子ビームの進行方向に対して前記第1の層よりも深い位置にある第2の層に照射する荷電粒子ビームの強度よりも低くすることを特徴とする荷電粒子ビーム照射方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 荷電粒子ビーム装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-261605   出願人：株式会社日立製作所