特許
J-GLOBAL ID：200903009495139860
表面波素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-168209
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032390
出願日： 1994年07月20日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】金属キャップ裏面への樹脂塗り工程、パッシベーション膜の成膜工程およびNO3 等の混入工程を不用として、ダイシング時のAl-IDT電極の腐食防止およびIR不良防止を図る。【構成】Al-IDT電極2が複数個形成された圧電基板1を、洗浄後、N2ガスまたはO2 ガス雰囲気中において、熱処理することにより、Al-IDT電極2の表面を窒化またはアルマイト化することを特徴とする表面波素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
Al-IDT電極が形成された圧電基板を、窒素雰囲気中または酸素雰囲気中において、熱処理することにより、Al-IDT電極の表面を窒化またはアルマイト化することを特徴とする表面波素子の製造方法。
IPC (2件)：
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