特許

J-GLOBAL ID：200903009499867720

半導体レーザ

発明者： 古谷 章 ,  穴山 親志 ,  近藤 真人
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-212437
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066490
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザに関し、半導体材料を適切に選択すると共に活性層に歪みを入れて閾値電流の低減及び閾値電流の温度特性向上を実現させ、しかも、活性層に歪みを入れ過ぎることに起因する結晶欠陥の発生や表面モホロジの低下がないようにする。【構成】 GaAs基板1上にn-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層2及びp-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層4で挟まれて圧縮歪みを受けたInGaAsP歪み活性層3が形成され、また、その歪み活性層3は引っ張り歪みを受けた歪み活性層、厚さ15〔nm〕以下の圧縮歪み或いは引っ張り歪みを受けた活性層、一層の厚さが15〔nm〕以下の圧縮歪み或いは引っ張り歪みを受けた複数層からなる活性層に代替される。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上にAlGaInP或いはAlInPからなるクラッド層で挟まれて圧縮歪みを受けたGaInAsP或いはAlGaInAsPからなる活性層を備えてなることを特徴とする半導体レーザ。