特許
J-GLOBAL ID：200903009501313605
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-166988
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335687
出願日： 1992年06月02日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 放射ビームの断面形状をほぼ真円に近くし、光ファイバとの結合効率を高めることができる量子井戸構造の半導体レーザ素子を提供する。【構成】 InP基板1のほぼ中央部分に量子井戸層7を形成し、その左右両側に狭窄層8を形成する。量子井戸層7はN型クラッド層2と光閉じ込め層23と活性層24と光閉じ込め層25とP型クラッド層6との積層構造によって構成し、活性層24と光閉じ込め層23,25の厚みの総和を2000Å以下にして、光閉じ込め係数を小さくし、活性層24内に閉じ込められて活性化した光をクラッド層2,6側にしみ出すしみ出し量を大きくして活性層24およびしみ出し部分から放出する垂直方向のビームの広がり角を小さくしてほぼ真円に近いパターンモードのビームを出力させる。
請求項（抜粋）：
InP基板上に単数あるいは複数のGa1-X InAs1-Y Py層を井戸層とする量子井戸を活性層に含む半導体レーザ素子において、前記井戸層は活性層と、この活性層を上下両側からサンドイッチ状に挟む光閉じ込め層を有し、この活性層と上下の光閉じ込め層の厚さの総和を2000Å以下にしたことを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
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