特許

J-GLOBAL ID：200903009501321055

半導体レーザの製造方法および半導体レーザ

発明者： 栗原 香
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-351643
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186652
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 電流注入領域を決定する酸化層を安定して形成することで素子の歩留まり向上、光学特性の向上が図れる半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 ストライプメサ19を形成したInP基板20上に下部クラッド層35、下部SCH層36、活性層37、上部SCH層38、上部クラッド層39、キャップ層40を順次積層する工程と、前記各層の一部をエッチングしてメサ19の幅より広い幅のメサ41を形成し、メサ41側面に上部クラッド層39を露出させる工程と、水蒸気10を用いて上部クラッド層39を酸化させる工程と、キャップ層40の上面とInP基板20の裏面に電極をそれぞれ形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

ストライプ状の第1のメサを形成した半導体基板上に、下部クラッド層、下部SCH層、活性層、上部SCH層、他の層よりも酸化速度が大きい材料からなる上部クラッド層、キャップ層を、少なくとも上部クラッド層が前記第1のメサによる段差を有するように順次積層する工程と、前記各層の一部をエッチングして前記第1のメサの幅より広い幅の第2のメサを形成し、その第2のメサの側面に前記上部クラッド層を露出させる工程と、酸化作用を持つ蒸気を用いて前記上部クラッド層を酸化させる工程と、前記キャップ層の上面と前記半導体基板の裏面に電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。