特許
J-GLOBAL ID：200903009505070324
集束イオンビーム発生手段を用いた処理方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-035569
公開番号（公開出願番号）：特開平7-320670
出願日： 1994年03月07日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】SiウエハやSiデバイスなどの試料に対しFIBを照射して、電気的汚染やビーム照射によるコンタミネイションを発生させることなく試料の特定箇所を微細加工、微細成膜、分析することが可能な集束イオンビーム発生手段を備えた処理装置及び処理方法を提供する。【構成】集束イオンビーム発生手段を備えた処理装置に、試料18の電気的特性に影響をおよぼさないイオンを発生させるプラズマイオン源または液体金属イオン源と、このイオン源で発生させたイオンを引出してイオンビームを形成するイオンビーム形成手段と、形成したイオンビームを集束させるイオンビーム集束手段と、集束させたイオンビーム20を試料に照射する照射手段と、照射により処理される試料を設置する試料室とを備える。
請求項（抜粋）：
処理すべき試料の電気的特性に影響をおよぼさないイオンを発生させ、該発生させたイオンを集束してイオンビームを形成し、該形成したイオンビームを前記試料に照射し、該試料を該試料の電気的特性を損なうことなく処理することを特徴とする集束イオンビーム発生手段を用いた処理方法。
IPC (4件)：
H01J 37/08
, H01J 27/18
, H01J 37/317
, H01L 21/265
