特許
J-GLOBAL ID:200903009505731568

半導体製造における微粒子を排除する装置および方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大貫 進介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-123523
公開番号(公開出願番号):特開平10-050689
出願日: 1997年04月25日
公開日(公表日): 1998年02月20日
要約:
【要約】【課題】 クリーン・ルームの内外いずれにおいても半導体素子を保護する方法および装置を提供する。【解決手段】 自己集成封入物(30)を用いて半導体素子(10)の表面(16)を保護する。自己集成封入物(30)は半導体素子(10)の表面(16)に堆積された少なくとも1つの自己集成単分子層(40)を含む。自己集成単分子層封入物(40)は界面活性基からなる頭部(42)を有する分子(40)を含む溶液を塗布することによって作成される。界面活性基は自己集成し、半導体素子(10)の面(16)に結合する。分子(40)が自己集成するとき、分子(40)はその頭(42)が半導体面(16)上に位置し、その尾(46)が面(16)から離れる方向を向くように自己整列し、それによって半導体素子(10)上に緻密な保護封入物が形成される。
請求項(抜粋):
製造中の半導体素子の半導体表面を保護する方法であって:半導体素子(10)の半導体表面(16)を設ける段階;および前記半導体表面(16)を自己集成保護封入物(30)で被覆する段階;からなることを特徴とする方法。

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