特許
J-GLOBAL ID：200903009506720071
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田澤 博昭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-357793
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196568
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 同じ深さの配線同士を接続することができるとともに、深さの異なる配線同士をも接続することができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1上に形成され内部に深さの異なる配線11a,11bを有する絶縁膜12上にフォトレジスト13を塗布する工程と、フォトレジスト層13をパターン的に露光し、現像による可溶性が配線の深さに対応して高まるようにしたフォトレジスト層13を現像する工程と、絶縁膜12を選択的にエッチングし配線11a,11bを露光する工程と、配線層15により配線11a,11b同士を接続する工程とにより構成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、内部に深さの異なる配線を有する絶縁膜上に、フォトレジストを塗布する第1の工程と、紫外線、X線、電子線のいずれかを用いて前記フォトレジスト層をパターン的に露光し、該フォトレジスト層の現像による可溶性が前記配線の深さに対応して高まるようにし、前記フォトレジスト層を現像する第2の工程と、前記絶縁膜を選択的にエッチングし、前記配線を露出する第3の工程と、前記フォトレジスト層を除去し、前記絶縁膜上及び配線上に配線層を形成し、深さの異なる配線同士を接続する第4の工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/302
, H01L 21/3205
