特許
J-GLOBAL ID:200903009507534182

材料の劣化度測定システムおよび測定装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-016667
公開番号(公開出願番号):特開平7-286956
出願日: 1995年02月03日
公開日(公表日): 1995年10月31日
要約:
【要約】【目的】機器の運転を停止せずに機器の絶縁材料や構造材料の劣化度を非破壊で測定できる劣化度測定システムの提供。【構成】少なくとも2種の単色光を光ファイバで被測定物表面に照射し、反射光を光ファイバで光量測定部に導き、劣化度演算部において各波長における反射吸光度(Aλ)を算出後、各波長間の反射吸光度差(ΔAλ)あるいは反射吸光度比(Aλ′)を演算し、さらに予め被測定物の劣化度と各波長間の反射吸光度差あるいは反射吸光度比との関係を記憶させた関数発生部からの出力とを比較演算することによって劣化度を判定する。
請求項(抜粋):
波長が相異なる少なくとも2種の単色光光源からの照射光を照射用光ファイバで導き被測定物表面に照射し、該被測定物表面からの反射光を受光用光ファイバを用いて光量測定部に導き、劣化度演算部において該光量測定部からの出力より各波長における反射吸光度(Aλ)を(1)式で算出後、各波長間の反射吸光度差(ΔAλ)を(2)式で演算し、さらに予め被測定物の劣化度と各波長間の反射吸光度差との関係を記憶させた関数発生部からの出力とを比較演算することによって劣化度を判定することを特徴とする材料の劣化度測定システム。【数1】 Aλ=-log(Rλ/100) ...(1) ΔAλ=Aλ1-Aλ2(ただし、λ1<λ2) ...(2)(波長λ(nm)における被測定物の反射率をRλ(%)とする)
引用特許:
審査官引用 (58件)
  • 特開平1-265139
  • 光検出用プローブ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-208536   出願人:株式会社安川電機
  • 特開昭53-015890
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