特許

J-GLOBAL ID：200903009512424654

窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子

発明者： 中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-148470
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008403
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 上下より電極を取り出せる構造を有する窒化物半導体素子の製造方法、および窒化物半導体素子を提供する。【構成】 絶縁性基板の上に窒化物半導体層が成長されたウェーハの窒化物半導体層面に導電性基板を接着する第一の工程と、導電性基板接着後、前記ウェーハの絶縁性基板の一部、又は全部を除去して窒化物半導体層を露出させる第二の工程とを備え、露出させた窒化物半導体層と、導電性基板とに対向する電極を設ける。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の上に窒化物半導体層が成長されたウェーハの窒化物半導体層面に導電性基板を接着する第一の工程と、導電性基板接着後、前記ウェーハの絶縁性基板の一部、又は全部を除去して窒化物半導体層を露出させる第二の工程とを備えることを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/02 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭50-091292
  
• 特開昭61-182292
  
• 特開昭61-007671
  
• 特開昭61-183986