特許
J-GLOBAL ID：200903009513078903
半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264963
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094207
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、高出力動作の特性に優れた窓構造半導体レーザ素子のプロセスの制御性、信頼性に優れた半導体レーザ素子構造とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 第1導電型基板上に、第1導電型の第1クラッド層と、量子井戸活性層と、第2導電型の第2クラッド層と、共振器方向にリッジストライプからなる第2導電型の第3クラッド層と、第3クラッド層のリッジストライプ側面を埋め込むように構成された第1導電型の電流ブロック層と、第3クラッド層上に形成された第2導電型のキャップ層と、キャップ層上の共振器端面近傍にリッジストライプと直交する方向に形成された誘電体膜を有する構成とし、且つ前記誘電体膜直下の量子井戸活性層のバンドギャップが共振器内部の量子井戸活性層のバンドギャップよりも大きくする。
請求項（抜粋）：
第1導電型基板上に、第1導電型の第1クラッド層と、量子井戸活性層と、第2導電型の第2クラッド層と、共振器方向にリッジストライプからなる第2導電型の第3クラッド層と、第3クラッド層のリッジストライプ側面を埋め込むように構成された第1導電型の電流ブロック層と、第3クラッド層上に形成された第2導電型のキャップ層を備えた半導体レーザ素子において、前記キャップ層上の共振器端面近傍に前記リッジストライプと直交する方向に誘電体膜が形成され、前記量子井戸活性層の前記誘電体膜直下のバンドギャップが共振器内部のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする半導体レ-ザ素子。
IPC (3件)：
H01S 5/16
, H01S 5/227
, H01S 5/343
H01S 5/16
, H01S 5/227
, H01S 5/343
5F073AA13
, 5F073AA51
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AA87
, 5F073CA05
, 5F073CB10
, 5F073DA05
, 5F073DA16
, 5F073DA35
