格子不整合系積層結晶構造およびそれを用いた半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-242751
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111039
出願日： 1994年07月25日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】基板結晶上に、厚さ1μm以下の半導体からなるバッファ層を介して、基板結晶とは基板結晶面と平行方向の格子定数(以下、単に格子定数という)が異なる半導体薄膜結晶が積層されており、かつ室温における電子移動度が8500cm2/Vsより大きい格子不整合系積層結晶構造およびそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】バッファ層を積層方向で複数の第1の領域と複数の第2の領域を積層された構成とし、第1の領域の格子定数を積層方向で半導体薄膜結晶に向かって増加させ、第1の領域の厚さを基板結晶との格子不整合に起因する格子歪が緩和する厚さとし、第2の領域を第1の領域の半導体薄膜結晶側の面上にこれに接して形成し、第2の領域の格子定数を積層方向で一定とし、かつバッファ層の格子定数を積層方向で連続させる。

請求項（抜粋）：

基板結晶上に、厚さ1μm以下の半導体からなるバッファ層を介して、上記基板結晶とは上記基板結晶面と平行方向の格子定数が異なる半導体薄膜結晶が積層されている格子不整合系積層結晶構造において、上記バッファ層は上記積層方向で複数の第1の領域と複数の第2の領域が積層されて構成されており、上記第1の領域の上記基板結晶面と平行方向の格子定数は、上記積層方向で上記半導体薄膜結晶に向かって増加しており、上記第1の領域は上記基板結晶との格子不整合に起因する格子歪が緩和する厚さを有しており、上記第2の領域は上記第1の領域の上記半導体薄膜結晶側の面上にこれに接して形成されており、上記第2の領域の上記基板結晶面と平行方向の格子定数は、上記積層方向で一定であり、かつ上記バッファ層の上記基板結晶面と平行方向の格子定数は、上記積層方向で連続していることを特徴とする格子不整合系積層結晶構造。

IPC (6件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/203 , H01L 29/205 , H01S 5/323

FI (4件)：

H01L 21/203 M , H01L 29/205 , H01S 5/323 , H01L 29/80 H

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