特許
J-GLOBAL ID：200903009528824822
薄膜基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-046907
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263842
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 メッキ層によるパターンを形成しようとする基板上の金属表面に、まずレジストを塗布し、該レジストの塗布膜にマスク用のパターンを形成した後、メッキ処理を行い、その後、前記レジストの剥離を行い、メッキ層によるパターンを形成するという各工程を含む薄膜基板の製造方法や、エッチングしようとする基板上の金属表面に、まずレジストを塗布し、該レジストの塗布膜にマスク用のパターンを形成した後、エッチング処理を行うという各工程を含む薄膜基板の製造方法に関し、エアートラップによるメッキの析出不良やエッチング残渣不良を避けることができる薄膜基板の製造方法を実現することを目的とする。【構成】 メッキ処理の前或いはエッチング処理の前に、低圧水銀灯から生じた紫外線を照射し、UVオゾン処理を行う工程を設けように構成する。
請求項（抜粋）：
メッキ層によるパターンを形成しようとする基板上の金属表面に、まずレジストを塗布し、該レジストの塗布膜にマスク用のパターンを形成した後、メッキ処理を行い、その後、前記レジストの剥離を行い、メッキ層によるパターンを形成するという各工程を含む薄膜基板の製造方法において、前記メッキ処理の前に、低圧水銀灯から生じた紫外線を照射してUVオゾン処理を行うことを特徴とする薄膜基板の製造方法。
IPC (2件)：
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