特許
J-GLOBAL ID：200903009530874713
面発光レーザアレイの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-313413
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138414
出願日： 1998年11月04日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】【課題】 生産性に優れ、特性のばらつきのない電流狭窄層及び絶縁層を有する面発光レーザアレイの製造方法を提供する。【解決手段】 基板2上に、第1の含Al化合物半導体層20、n型コンタクト層4、反射鏡層構造6と14、クラッド層8と12、活性層10、第2の含Al化合物半導体層22、p型コンタクト層16を積層し、コンタクト層16から下層に向かって、反射鏡層構造6とコンタクト層4の界面またはコンタクト層4の表層に至る第1のメサAを形成し、第2の含Al化合物半導体層22をその側端から芯部に向かって酸化させ該芯部に未酸化層が残存した電流狭窄層22aを形成する。コンタクト層4から下層に向かって、第1の含Al化合物半導体層20と基板2の界面または基板2の表層に至る第2のメサBを形成し、第1の含Al化合物半導体層20を酸化させて絶縁層20aに転化する。
請求項（抜粋）：
n型半導体から成る共通基板上に少なくとも1個の面発光レーザ素子を形成して成る面発光レーザアレイの製造方法であって、前記面発光レーザ素子は、n型半導体から成る共通基板上に、少なくとも、第1の含Al化合物半導体層、n型化合物半導体から成るコンタクト層、第1の反射鏡層構造、n型化合物半導体から成る下部クラッド層、活性層、p型化合物半導体から成る上部クラッド層、第2の含Al化合物半導体層、第2の反射鏡層構造、及びp型化合物半導体から成るコンタクト層をこの順序で積層し、前記p型化合物半導体から成るコンタクト層から下層に向かって、前記第1の反射鏡層構造と前記n型化合物半導体から成るコンタクト層の界面または前記n型化合物半導体から成るコンタクト層の表層に至るまでの深さのエッチングを行って、第1のメサを形成し、前記第1のメサに1回目の酸化処理を施し、前記第2の含Al化合物半導体層をその側端から芯部に向かって酸化させ該芯部に未酸化の含Al化合物半導体層が残存した電流狭窄層を形成し、更に、前記n型化合物半導体から成るコンタクト層から下層に向かって、前記第1の含Al化合物半導体層とn型半導体から成る共通基板の界面またはn型半導体から成る共通基板の表層に至るまでの深さのエッチングを行って、その側端が前記第1のメサの側端より外側に位置する第2のメサを形成したのち、2回目の酸化処理を施し、前記第2のメサにおける前記第1の含Al化合物半導体層のみを全て酸化させて絶縁層に転化し、前記n型化合物半導体コンタクト層及び前記p型化合物半導体コンタクト層にそれぞれn型電極及びp型電極を形成して製造されることを特徴とする面発光レーザアレイの製造方法。
Fターム (7件)：
5F073AB06
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CA04
, 5F073DA25
, 5F073DA26
, 5F073DA27
