特許
J-GLOBAL ID：200903009532195465
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西山 恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-360904
公開番号（公開出願番号）：特開2003-289073
出願日： 2002年12月12日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子もしくは半導体素子と繋がる電気接続部があらかじめ形成されている半導体基板またはガラス基板に、高アスペクト比で小径の貫通孔を高温プロセスを使用する事なく形成する事により、基板の表裏面の導通をとる。【解決手段】 あらかじめその表面に半導体素子と繋がる電気接続部が作りこまれている半導体基板またはガラス基板の、半導体素子もしくは電気接続部の近傍に、レーザ加工等により少なくとも1つの貫通孔を形成し、該貫通孔の内側表面に電着等の液相法により結着性樹脂等の有機物からなる絶縁層を形成し、該絶縁層の内側表面に無電界メッキ等により導電層を、該電気接続部と繋がるように形成する事で、基板の表面側の電気接続部と基板の裏面側との導通をとる。
請求項（抜粋）：
基板の表裏面を貫通する少なくとも1つの貫通孔により、該基板の表裏面を電気的に接続した半導体装置において、該基板の表裏面の少なくとも一方の面側の該貫通孔の開口部周辺には半導体プロセスにより電気接続部が形成されており、該貫通孔の内側表面には有機物からなる絶縁層が形成され、該絶縁層の内側表面には導電層が形成され、該電気接続部は該導電層と電気的に接続することで、該基板の他方の面側と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
Fターム (37件)：
5F033GG01
, 5F033GG02
, 5F033GG03
, 5F033HH03
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033JJ07
, 5F033JJ11
, 5F033JJ13
, 5F033JJ14
, 5F033KK07
, 5F033KK11
, 5F033KK13
, 5F033KK14
, 5F033MM30
, 5F033PP26
, 5F033PP28
, 5F033QQ76
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR14
, 5F033RR15
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033RR23
, 5F033RR24
, 5F033SS21
, 5F033SS30
, 5F033TT07
, 5F033WW00
, 5F033WW01
, 5F033WW03
, 5F033XX03
, 5F033XX31
, 5F033XX33
