特許
J-GLOBAL ID：200903009533030214
ダイヤモンドの成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-319033
公開番号（公開出願番号）：特開平5-156445
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1993年06月22日
要約：
【要約】【目的】 ダイヤモンドの成膜方法において、ダイヤモンド結晶核の発生密度を高め、成膜後の膜厚のばらつきを抑制して、より均一なダイヤモンド膜を得る。【構成】 無機耐熱性基体1上に、気相化学成長法を用いてダイヤモンド膜を形成するダイヤモンドの成膜方法において、無機耐熱性基体1に、予め水素プラズマの照射により凹部2を形成する。
請求項（抜粋）：
無機耐熱性基体上に、気相化学成長法を用いてダイヤモンド膜を形成するダイヤモンドの成膜方法において、上記無機耐熱性基体の表面に、予め水素プラズマの照射により多数の微小な凹部を形成した後ダイヤモンドを成膜することを特徴とするダイヤモンドの成膜方法。
IPC (4件)：
C23C 16/02
, C23C 16/26
, C23F 4/00
, C30B 29/04
