特許
J-GLOBAL ID：200903009534755530
面発光型半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
牛久 健司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-174434
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004208
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：
【要約】【目的】 光取り出し面と反対側に向かう光を効率よく外部に取り出す面発光型半導体発光素子を提供する。【構成】 n-GaAs半導体基板5上に,n-GaAlAs下部クラッド層4,p-GaAlAs活性層3およびp-GaAlAs層2を順次エピタキシャル成長させる。n-GaAs半導体基板5の下面の全体にスパッタ法,ゾルゲル法などによりITO(インジウム・スズ酸化物)からなる透明電極8を形成し,透明電極8の下面にAuまたはAu/Cuからなるn側金属電極9を蒸着により形成する。金属電極1および9との間に電流を流すと,活性層3から光が発生し,その一部は光取り出し面と反対側のn側金属電極9の方向に向かう。n側金属電極9はその表面が平坦に形成されているので,n側金属電極9に入射した光は効率よく光取り出し領域6へ反射される。また,半導体基板5とn側電極9とはその間に透明電極8を挟んで形成されているので,アニールによって合金化しない。このため,金属電極9の反射面は粗面化せず平坦な状態を保つことができる。
請求項（抜粋）：
活性層を含む複数の半導体層が積層されてなる面発光型半導体発光素子において,最下層の半導体層の下面に透明導電膜が形成され,上記透明導電膜の下面に金属電極が設けられ,上記透明導電膜と上記金属電極との境界面が平坦に形成されていることを特徴とする,面発光型半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 A
, H01L 31/12 E
