特許

J-GLOBAL ID：200903009546970666

強誘電体不揮発性記憶装置

発明者： 高須 秀視
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 古谷 栄男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-301680
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145077
出願日： 1991年11月18日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】強誘電体の特徴である残留分極を利用した不揮発性記憶装置であって、正確に作動する強誘電体不揮発性記憶装置を提供する。【構成】基板内のp形シリコンウエル14に、n+形ドレイン層24及びn+形ソース層26が設けられる。p形シリコンウエル14上に、高誘電体膜22、白金層20、強誘電体膜18、白金層16が順に積層されている。この様なメモリセル3を利用して強誘電体不揮発性記憶装置を形成する。この装置においては、白金層16と基板間に電界を印加することによって情報を書込む。一方、書込時とは反対方向に電界を印加することによって情報を消去する。また、情報の読み出しにおいては、チャンネル領域28が導通状態にあるか否かで判断される。

請求項（抜粋）：

半導体基板に設けられた第一導電型の半導体領域と、前記半導体領域内に形成された第二導電型の少なくとも一対の拡散領域と、前記半導体領域上に形成された強誘電体材料から成る強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された制御電極と、を備える強誘電体不揮発性記憶装置において、前記半導体領域と前記強誘電体膜との間に絶縁膜を設けたことを特徴とする強誘電体不揮発性記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭55-128873
  
• 特開昭52-042381
  
• 特開昭60-113474
  
• 特開昭57-172772