特許

J-GLOBAL ID：200903009550782297

メッキ処理装置及びメッキ処理方法

発明者： 大加瀬 亘 ,  朴 慶浩 ,  松尾 剛伸
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-174440
公開番号（公開出願番号）：特開2001-316885
出願日： 2000年05月08日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 ウエハの面内で厚さが均一なメッキ層を形成することのできるメッキ処理装置及びメッキ処理方法を提供する。【解決手段】 ウエハWにカソード電圧を印加する接点として、ウエハW外周縁側に配設されたカソードコンタクト64,64,...の他に、ウエハWの中心で接触するセンターカソード90を配設し、前記カソードコンタクト64,64,...とこのセンターカソード90との間で交互にカソード電圧を印加する。メッキバス42底部に配設された一つのアノード44に対してカソード電圧が高くなる部分が外周縁側のカソードコンタクト64,64,...付近になったり、ウエハWの中心部になったりするので、電流の方向が散乱され、全体としてウエハW下面側の電流密度が均一化され、その結果ウエハW全体にわたって均一な厚さのメッキ層が形成される。

請求項（抜粋）：

処理液を収容する処理液槽と、前記被処理基板の中心に穿孔された貫通孔を介して前記被処理基板の裏面側から接触して電圧を印加する電圧印加手段と、を具備するメッキ処理装置。

IPC (9件)：

C25D 17/08 ,  C25D 5/08 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/00 ,  C25D 17/06 ,  C25D 17/12 ,  C25D 21/00 ,  C25D 21/12 ,  H01L 21/288

FI (9件)：

C25D 17/08 R ,  C25D 5/08 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/00 H ,  C25D 17/06 C ,  C25D 17/12 C ,  C25D 21/00 A ,  C25D 21/12 A ,  H01L 21/288 E

Fターム (19件)：

4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024BC06 ,  4K024CA05 ,  4K024CA15 ,  4K024CB04 ,  4K024CB06 ,  4K024CB08 ,  4K024CB12 ,  4K024CB13 ,  4K024CB21 ,  4K024CB26 ,  4K024DB10 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104HH20