特許
J-GLOBAL ID:200903009556919987

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-013707
公開番号(公開出願番号):特開平9-213828
出願日: 1996年01月30日
公開日(公表日): 1997年08月15日
要約:
【要約】【課題】 半導体キャリアの外形が半導体素子よりも大きくなり、半導体装置の小型化ができない。【解決手段】 電極パッド数の少ない半導体素子11の電極パッド12上にAuバンプ13が形成され、半導体キャリア14上の電極15に導電性接着剤により接続される。また半導体キャリア14上の電極15は、半導体キャリア14の内部ビアの内層を通じて、裏面のグリッド状の外部電極16と接続されている。そして半導体キャリア14と半導体素子11の隙間、および半導体素子11の周辺部、さらに半導体素子11の外周部が封止樹脂17により封止されている。この構造により、電極パッド数の少ない半導体素子11を用い、半導体キャリア14を狭い面積にしても外部電極16数を十分に確保することが可能であり、半導体素子11よりも半導体キャリア14を小さくすることができる。
請求項(抜粋):
上面に複数の電極と底面に配列された外部電極とを有した絶縁性基体からなる半導体キャリアと、前記半導体キャリア上面に接合された半導体素子と、前記半導体素子上の電極パッド上に設けられたバンプ電極と、前記半導体キャリア上面の複数の電極と前記半導体素子上のバンプ電極とを接合している導電性接着剤と、前記半導体素子と前記半導体キャリアとの間隔と前記半導体素子周辺端部および側端部を充填被覆している樹脂とよりなり、樹脂は前記半導体キャリアの底面と同一面まで設けられ、前記半導体キャリアの外形が前記半導体素子の外形より小さいことを特徴とする半導体装置。

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