特許
J-GLOBAL ID：200903009557372337
炭化珪素焼結体の比抵抗制御方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-063505
公開番号（公開出願番号）：特開平9-255428
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：
【要約】【課題】 炭化珪素焼結体の比抵抗値を低くすることができ、かつこの比抵抗を広範囲に制御できる炭化珪素焼結体の比抵抗制御方法を提供する。【解決手段】 平均粒子径が0.1以上、10μm以下のα-SiC粉末と、平均粒子径が0.1以上、10μm以下のβ-SiC粉末と、プラズマCVD法により気相合成された平均粒子径が0.1μm未満のSiC超微粉末とを所望の比率で混合してSiC混合粉末を得、このSiC混合粉末を加熱焼結する。
請求項（抜粋）：
平均粒子径が0.1μm以上、10μm以下のα-SiC粉末と、平均粒子径が0.1μm以上、10μm以下のβ-SiC粉末と、プラズマCVD法により気相合成された平均粒子径が0.1μm未満のSiC超微粉末とを所望の比率で混合してSiC混合粉末を得、このSiC混合粉末を加熱焼結することを特徴とする炭化珪素焼結体の比抵抗制御方法。
FI (2件)：
C04B 35/56 101 S
, C04B 35/56 101 Y
