薄膜トランジスタとこれを用いた液晶表示装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-103335
公開番号（公開出願番号）：特開平8-297299
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】内部に絶縁不良や短絡欠陥の発生しない薄膜トランジスタを実現し、歩留まりが高く、信頼性に優れた薄膜トランジスタを提供する。【構成】薄膜トランジスタのゲート電極6の構造に関して、下層2に純Al、上層3に高融点金属のTaを不純物として混合したAl合金の二層構造を有する第一の金属層4を、Alより高い融点を有する第二の金属層5によって完全に被覆する構成であり、熱処理時Alに発生するヒロック等の変形を抑え、薄膜トランジスタ内部の絶縁不良や短絡欠陥の発生を防止するものである。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にゲート電極が設けられ、前記絶縁性基板及びゲート電極上に絶縁膜が設けられ、さらにその上方に半導体層が設けられ、前記半導体層上にソース電極およびドレイン電極がゲート電極の直上のチャンネル形成領域以外に互いに対向するよう設け、かつ前記ゲート電極は、純アルミニウムから成る下層にタンタルを不純物として混合したアルミニウム合金から成る上層の二層構造を有する第一の金属層と、アルミニウムより高い融点を有する金属から成り第一の金属層の上方に設けられた第二の金属層とを有するとともに、前記第二の金属層は前記第一の金属層を完全に被覆した薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786

FI (3件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 L , H01L 29/78 617 M

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