冷陰極電界電子放出素子、冷陰極電界電子放出型表示装置、及びそれらの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-200221
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235832
出願日： 1999年07月14日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】均一な特性を有する複数の冷陰極電界放出素子を簡便な方法で製造し得る方法を提供する。【解決手段】冷陰極電界放出素子の製造方法は、絶縁性基体10上に、パターニングされた電極層11を設け、次いで、該電極層11上を含む絶縁性基体10上に層間絶縁層12を形成し、該層間絶縁層12上に第1の導電体層から成るゲート電極14を形成した後、少なくとも層間絶縁層12を貫通し、底部に電極層11が露出した開口部15,13を形成し、該開口部15,13の側壁に絶縁材料から成るサイドウオール16を形成し、開口部15,13の径を縮小した後、開口部15,13内を含む全面に第2の導電体層を物理的又は化学的気相成長法にて成膜し、該第2の導電体層をエッチバックすることによって、開口部15,13内に、柱状形状を有する第2の導電体層から成るエミッタ電極18を形成し、次いで、少なくともサイドウオール16の上部を除去する工程から成る。

請求項（抜粋）：

(A)絶縁性基体上に、パターニングされた電極層を設ける工程と、(B)該電極層上を含む絶縁性基体上に層間絶縁層を形成する工程と、(C)該層間絶縁層上に第1の導電体層から成るゲート電極を形成する工程と、(D)少なくとも層間絶縁層を貫通し、底部に電極層が露出した開口部を形成する工程と、(E)該開口部の側壁に絶縁材料から成るサイドウオールを形成し、開口部の径を縮小する工程と、(F)開口部内を含む全面に第2の導電体層を物理的又は化学的気相成長法にて成膜する工程と、(G)該第2の導電体層をエッチバックすることによって、開口部内に、柱状形状を有する第2の導電体層から成るエミッタ電極を形成する工程と、(H)少なくともサイドウオールの上部を除去する工程、から成ることを特徴とする冷陰極電界電子放出素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01J 9/02 , H01J 1/304 , H01J 29/04 , H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 B , H01J 29/04 , H01J 31/12 C , H01J 1/30 F

Fターム (6件)：

5C031DD09 , 5C031DD19 , 5C036EF01 , 5C036EF06 , 5C036EG02 , 5C036EG12

前のページに戻る