特許
J-GLOBAL ID：200903009572726811
III族窒化物半導体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
萩原 康司
, 金本 哲男
, 亀谷 美明
, 和田 憲治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-070186
公開番号（公開出願番号）：特開2009-221083
出願日： 2008年03月18日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：
【課題】III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に、自立基板製造時および半導体素子製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能な手法を提供する。【解決手段】基板上1にAlN単結晶層2またはAlを含むIII族窒化物単結晶層2を0.005μm以上10μm以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板1,2又はサファイア基板1を窒化処理したAlNテンプレート基板1,2、もしくはAlN単結晶基板上に、金属層3,4を成膜する工程と、金属層3,4の上に開口部6’を有するパターンマスク膜6を形成する工程と、マスク開口部6’に露呈した部位の金属層3をアンモニア混合ガス雰囲気中で加熱処理を行い金属窒化物層7を形成する工程と、金属窒化物層7を核としてIII族窒化物半導体層8を成膜する工程を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にAlN単結晶層またはAlを含むIII族窒化物単結晶層を0.005μm以上10μm以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板又はサファイア基板を窒化処理したAlNテンプレート基板、もしくはAlN単結晶基板上に、金属層を成膜する工程と、該金属層の上に開口部を有するパターンマスク膜を形成する工程と、マスク開口部に露呈した部位の金属層をアンモニア混合ガス雰囲気中で加熱処理を行い金属窒化物層を形成する工程と、該金属窒化物層を核としてIII族窒化物半導体層を成膜する工程を有することを特徴とする、III族窒化物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077DB04
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077EE05
, 4G077EE06
, 4G077EE07
, 4G077FJ03
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TA01
, 4G077TA04
, 4G077TB02
, 4G077TK01
, 4G077TK04
, 4G077TK08
, 4G077TK11
