特許

J-GLOBAL ID：200903009580689240

プラズマ化学蒸着装置及び成膜方法

発明者： 青井 辰史 ,  森田 章二 ,  竹内 良昭 ,  村田 正義 ,  大嶋 一晃
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-226423
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067673
出願日： 1997年08月22日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】基板表面加熱用ヒータへの膜付着による成膜速度の低下を抑制することを課題とする。【解決手段】プラズマ発生用電極32と基板40との間に、ワイヤ間隔3mm以上の空隙を有する輻射型の基板表面加熱用ヒータ45を設置すると共に、前記基板40と平行でかつ周期的に変化する磁界を発生する磁界発生装置46を設けたことを特徴とするプラズマ化学蒸着装置。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生用電極と基板との間に、ワイヤ間隔3mm以上の空隙を有する輻射型の基板表面加熱用ヒータを設置すると共に、前記基板と平行でかつ周期的に変化する磁界を発生する磁界発生装置を設けたことを特徴とするプラズマ化学蒸着装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C