特許
J-GLOBAL ID：200903009585905448
荷電粒子ビーム露光装置,その偏向データ作成方法 及び荷電粒子ビーム露光方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-333724
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166705
出願日： 1991年12月17日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は荷電粒子ビーム露光装置の改善に関し、ブロックマスクパターンを選択するビーム基準位置を間接的に求めることなく、該マスクパターン上の複数の偏向器によりそれを直接求め、測定精度の向上とデータ処理の短縮化,当該装置のスループットの向上を図ること、及び、高解像度のパターン露光をすることを目的とする。【構成】 荷電粒子ビーム11Aを発生する荷電粒子発生源11と、前記荷電粒子ビーム11Aを第1の偏向データD1に基づいて偏向する第1の偏向手段12と、前記荷電粒子ビーム11Aを第2の偏向データD2に基づいて偏向をする第2の偏向手段13と、前記第1,2の偏向手段12,13により偏向された荷電粒子ビーム11Aを整形する複数のブロックBn,〔n=1,2...i,j...n〕から成るビーム整形手段14とを具備し、前記第1の偏向手段12を通過した後の荷電粒子ビーム11Aを任意の照射サイズa×bに制御した第1の偏向データD1に基づいて第2の偏向データD2を調整する偏向調整手段15が設けられることを含み構成する。
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビーム(11A)を発生する荷電粒子発生源(11)と、前記荷電粒子ビーム(11A)を第1の偏向データ(D1)に基づいて偏向する第1の偏向手段(12)と、前記荷電粒子ビーム(11A)を第2の偏向データ(D2)に基づいて偏向をする第2の偏向手段(13)と、前記第1,2の偏向手段(12,13)により偏向された荷電粒子ビーム(11A)を整形する複数のブロック(Bn,〔n=1,2...i,j...n〕)から成るビーム整形手段(14)とを具備し、前記第1の偏向手段(12)を通過した後の荷電粒子ビーム(11A)を任意の照射サイズ(a×b)に制御した第1の偏向データ(D1)に基づいて第2の偏向データ(D2)を調整する偏向調整手段(15)が設けられることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, H01J 37/147
, H01J 37/305
H01L 21/30 341 J
, H01L 21/30 341 B
