半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-025971
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223519
出願日： 1999年02月03日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の柱状電極で応力を吸収することができるようにする。【解決手段】印刷用マスク14及びスキージ15を用いて樹脂封止膜17を形成する。この場合、印刷用マスク14の厚さは柱状電極12の高さよりも適宜に薄くなっている。したがって、柱状電極12の上面は樹脂封止膜17によって覆われるが、柱状電極12間における樹脂封止膜17の厚さは柱状電極12の高さよりも適宜に薄くなる。このように、柱状電極12間における樹脂封止膜17の厚さを柱状電極12の高さよりも適宜に薄くしているので、回路基板上に搭載した後における温度サイクルテストにおいて、シリコン基板11と回路基板との間の熱膨張係数差に起因して発生する応力を柱状電極12で吸収することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された複数の柱状電極間の前記基板上にスクリーン印刷法により樹脂封止膜を厚さが前記柱状電極の高さよりも薄くなるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 , H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 21/92 602 D , H01L 21/60 311 S , H01L 21/92 602 K

Fターム (5件)：

5F044KK01 , 5F044KK16 , 5F044LL01 , 5F044RR18 , 5F044RR19

引用特許：

審査官引用 (4件)

回路基板の製造方法及び前記電気接続部材と電気的回路部品との接続方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-348348 出願人：キヤノン株式会社
特開平3-022437
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-086876 出願人：株式会社東芝

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