特許
J-GLOBAL ID：200903009597847478
横型電界効果トランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-000414
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240515
出願日： 1995年01月06日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】横型電界効果トランジスタの高耐圧化とオン抵抗の低減の双方を達成する。【構成】ほう素のイオン注入とそれにつづく熱処理によりp形ドレイン領域を形成すると、表面上の酸化膜によるほう素のすい出し効果により、表面近くの横方向拡散長が短くなり、隣接するn領域での表面での電界集中が防止されて耐圧が向上する。これにより厚い酸化膜の形成が不要となってデバイス周期が縮小し、バルクの不純物濃度も高くできるためオン抵抗も低減できる。
請求項（抜粋）：
第一導電形のベース領域の表面層に、第二導電形のソース領域およびドレイン領域が距離をおいて形成され、ソース領域とドレイン領域とにはさまれたベース領域の表面上にゲート絶縁膜を介してゲートが設けられたものにおいて、ドレイン領域の横方向拡散長が表面に近づくにつれて短くされたことを特徴とする横型電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
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