特許

J-GLOBAL ID：200903009600551003

パターン補正方法

発明者： 斉藤 卓
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-351094
公開番号（公開出願番号）：特開2000-181045
出願日： 1998年12月10日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 光近接効果の補正を高精度に行なえるようにする。【解決手段】 テストパターン測定工程ST12において、ウェハ上に転写されたテストパターンの寸法を測定する。続いて、プロセス変動計算工程ST13において実プロセスにおける各種パラメータの変動量、例えば、露光量の変動として±5%、デフォーカスとして±0.45μmの場合を想定し、このような変動要因が正規分布を持って変動していると仮定する。次に、寸法分布及び平均値取得工程ST14において、寸法分布特性を取得した後、寸法分布ごとにそれぞれ平均値を算出する。次の寸法補正量決定工程ST15において、算出した平均値に基づいて、転写パターンが所定の設計値となるようにフォトマスクの設計パターンの寸法補正量を決定する。

請求項（抜粋）：

フォトマスクのパターンを基板上に転写する際に、前記基板上に転写された転写パターンが所望の設計パターンに近づくように前記フォトマスクのパターンの寸法を補正するパターン補正方法であって、前記フォトマスクのパターンの転写時に発生するフォーカスの変動、露光量の変動及びマスク寸法の変動等の変動要素を用いて、前記転写パターンが前記設計パターンに近くなるように前記フォトマスクの設計パターンの寸法を補正することを特徴とするパターン補正方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/30 515 F

Fターム (10件)：

2H095BB01 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046BA05 ,  5F046CA04 ,  5F046CA07 ,  5F046CB17 ,  5F046DA12 ,  5F046EA09 ,  5F046EC05