特許
J-GLOBAL ID：200903009602880756
パターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-033381
公開番号（公開出願番号）：特開平7-244370
出願日： 1994年03月03日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 パターンの形成方法に係り、特にレチクルやフォトマスクのようなガラス基板の表面に金属膜の遮光膜を形成する方法の改良に関し、簡単且つ容易に、表面品質が良好な、微細な遮光膜パターンを非常に高精度の寸法で形成することが可能となるパターンの形成方法の提供を目的とする。【構成】 ガラス基板1の表面に形成したクロム膜2をウエットエッチングによりパターニングしてパターンを形成するパターンの形成方法において、このクロム膜2に疎水性が付与されるように、このクロム膜2の厚さ方向に均一にイオンを選択的に注入するように構成する。
請求項（抜粋）：
基板(1)の表面に形成した金属乃至半導体を含んでなる膜(2)をウエットエッチングによりパターニングしてパターン(2a)を形成するパターンの形成方法において、前記膜(2) に疎水性が付与されるように、該膜(2) の厚さ方向に均一にイオンを選択的に注入することを特徴とするパターンの形成方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, C23F 4/00
, H01L 21/306
