特許

J-GLOBAL ID：200903009611601614

半導体集積回路

発明者： マーティン シュレムス ,  ジャック マンデルマン ,  ヨアヒム ヘプフナー ,  ヘルベルト シェーファー ,  ラインハルト シュテングル
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト ,  インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-178938
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031425
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 トレンチ下側部分の側壁の表面の粗さが低減されるようにする。【解決手段】 拡張された下側のトレンチ部分を有しているボトル形状のトレンチキャパシタと、前記トレンチの上側の部分を内側で覆っている酸化物カラーの下方の側壁の拡幅された下側トレンチ部分の側壁を内側で覆っているエピタキシャル層とを有している半導体集積回路。

請求項（抜粋）：

拡張された下側のトレンチ部分を有しているボトル形状のトレンチキャパシタと、前記トレンチの上側の部分を内側で覆っている酸化物カラーの下方の側壁の拡幅された下側トレンチ部分の側壁を内側で覆っているエピタキシャル層とを有している半導体集積回路。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 625 C ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651