特許

J-GLOBAL ID：200903009615115960

半導体発光素子

発明者： 尾藤 喜文 ,  北田 勝信
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-172582
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008408
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】 発光部が電極で被覆される割合が大きくなり、発光強度が小さくなるという問題があった。【解決手段】 基板1上に、一導電型半導体層2を形成すると共に、この一導電型半導体層2上に、この一導電型半導体層2の一部が露出するように逆導電型半導体層3を積層して形成し、この一導電型半導体層2の露出部に第1の電極5を接続して形成した半導体発光素子において、前記第1の電極5と対向する部分の前記逆導電型半導体層3と前記第2の電極6の接続部分の平面視した形状を凹状、凸状、若しくは凹凸状に形成すると共に、この凹状、凸状、若しくは凹凸状部の長さを22〜52μmとした。

請求項（抜粋）：

基板上に、一導電型半導体層を形成すると共に、この一導電型半導体層上に、この一導電型半導体層の一部が露出するように逆導電型半導体層を積層して形成し、この一導電型半導体層の露出部に第1の電極を接続して形成し、前記逆導電型半導体層に第2の電極を接続して形成した半導体発光素子において、前記第1の電極と対向する部分の前記逆導電型半導体層と前記第2の電極の接続部を平面視して凹状、凸状、若しくは凹凸状に形成すると共に、この凹状部、凸状部、若しくは凹凸状部の長さを22〜52μmとしたことを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-324599   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平3-268360