特許
J-GLOBAL ID：200903009621710985
磁気抵抗効果ヘッド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-174418
公開番号（公開出願番号）：特開平8-036717
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】 磁気抵抗効果素子に発生した熱を効率的に除去することができる温度上昇抑制効果の大きいMRヘッドを提供する。【構成】 磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜を線形応答モードに保持するための横方向バイアス手段と、磁気抵抗効果膜の磁区安定化のための縦方向バイアス手段とからなる磁気抵抗効果素子6と、磁気抵抗効果素子6にセンス電流を供給するための電極3が、一対の磁気シールド1,5の対向面間にギャップ2,4を介して設けられた構造を有するMRヘッドであって、磁気シールド1,5の少なくとも一方を磁気シールド材料である第1の層7と、磁気シールド材料よりも熱伝導率の大きな第2の層8を交互に積層した多層膜で構成する。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果膜と前記磁気抵抗効果膜を線形応答モードに保持するための横方向バイアス手段と前記磁気抵抗効果膜の磁区安定化のための縦方向バイアス手段とからなる磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するための電極が、一対の磁気シールドの対向面間にギャップ層を介して設けられた構造を有する磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記磁気シールドの少なくとも一方が磁気シールド材料である第1の層と、前記磁気シールド材料よりも熱伝導率の大きな第2の層とを交互に積層した多層膜から形成されることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
IPC (4件)：
G11B 5/39
, G01R 33/09
, H01F 10/00
, H01L 43/08
