半導体装置の製造装置および製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-230156
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074716
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】本発明は、半導体ウェーハを研磨および洗浄する半導体製造装置において、有機物汚染の問題もなく、ウェーハの被研磨面を親水性にすると同時に洗浄できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、半導体ウェーハ16の研磨処理が終了すると、供給装置17からの研磨剤17aの供給を停止するとともに、研磨定盤11およびウェーハ保持盤14の回転はそのままに、移動機構23によってウェーハ保持盤14の位置を移動する。このウェーハ保持盤14の移動にともなって、半導体ウェーハ16を研磨クロス13のクロス面上をスライドさせ、洗浄槽31へ移動させる。このとき、研磨定盤11と内槽31aとの間が、内槽31aから溢れ出す洗浄液により研磨クロス13と同じ高さで埋め込まれるようにすることで、被研磨面を大気に晒すことなく、半導体ウェーハ16を移動できる構成となっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板を研磨する研磨装置と、この研磨装置の研磨定盤に近接して設けられ、前記研磨装置によって研磨された前記半導体基板の被研磨面を洗浄するための洗浄装置とを具備し、前記洗浄装置に対して、前記半導体基板が、その被研磨面を大気に晒すことなく供給されるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 341 , H01L 21/304

FI (3件)：

H01L 21/304 321 A , H01L 21/304 341 B , H01L 21/304 341 C

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