特許

J-GLOBAL ID：200903009628100414

Si/SiGe光電子集積回路および形成方法

発明者： ジャック・オーン・チュー ,  ハリード・エッゼッディーン・イスマーイール ,  スティーブン・ジョン・コースター ,  ベルント・ウルリッヒ・エイチ・クレプサー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-052224
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284220
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 チップ上に光検出器とMODFETを組み込む集積光電子回路および製作プロセスを提供する。【解決手段】 チップは、単結晶半導体基板1と、SiGeグレード付き(傾斜濃度)緩衝層2と、緩和SiGe層3と、量子井戸層4と、非ドープSiGeスペーサ層5と、ドープSiGe供給層6とを含む。光検出器11は、金属-半導体-金属(MSM)またはp-i-nデバイスとすることができる。検出器は、n型またはp型MODFETあるいはその両方と共にCMOS構成に集積することができ、MODFETはショットキー・ゲートまたは絶縁ゲートを組み込むことができる。本発明は、エピタキシャル成長Si/SiGeヘテロ構造層を使用して、850nm動作のためのSi製造対応モノリシック高速光電子回路を製作する問題を克服する。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体基板と、yが0.1から1.0までの範囲にあるx=0からyまでグレード付けされたSi1-xGex緩衝層と、0.25μmから10μmまでの範囲の厚さを有する緩和Si1-yGeyの層と、量子井戸層と、非ドープSi1-yGeyスペーサ層と、ドープSi1-yGey供給層とを有し、前記緩和Si1-yGey層が光検出器の吸収領域として機能することができ、前記量子井戸層が電界効果トランジスタの導電チャネルとして機能することができ、前記スペーサ層が前記供給層内のドーパントを前記導電チャネルから分離するように機能することができる半導体構造。