特許

J-GLOBAL ID：200903009638377937

半導体装置の製造方法

発明者： 青木 秀充
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-038488
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206083
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 常温でエッチングによりCu膜の微細加工を行う。【構成】 有機膜6と、SOG膜7とをマスクに、ドライエッチング技術によってCu膜5を微細加工するものであり、SF6ガスまたはSH6ガスを用いてCu膜5にCuSの反応層9を形成し、この反応層9をArガスにてエッチング除去する工程を繰り返すことによってCu膜5の加工をするものである。【効果】 常温でもエッチングが可能であり、マスク材料にレジストまたは、有機膜を使用することができる。また、エッチング室に300°C以上の基板加熱ができる装備をもたない通常使用されているエッチング装置でエッチングすることができる。

請求項（抜粋）：

反応層の形成工程と、ドライエッチング工程とを有し、Cu膜を微細加工する半導体装置の製造方法であって、反応層形成工程は、SF6ガスまたはSH6ガスを用いてCu膜の反応層を形成する工程であり、ドライエッチング工程は、この反応層をArガスにてエッチング除去する工程を繰り返すことによってCu膜を加工する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/30 361 ,  H01L 21/88 D