窒化シリコンの低温堆積

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 西島孝喜 , 須田洋之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-538310
公開番号（公開出願番号）：特表2007-509836
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：

アミノ置換ジシラン化合物に基づいた新規な種類の揮発性液体前駆体を用いて、基板の表面上に窒化シリコンの誘電体材料を形成する。この種類の前駆体は、当該技術分野に内在する高い堆積温度の問題及び望ましくない副生成物の形成を克服するものである。別の態様においては、基板上に窒化シリコン膜を堆積させる方法を提供する。

請求項（抜粋）：

基板上に窒化シリコン材料を堆積させる方法であって、次式: [(R1R2N)3-xHxSi-Si(NR3R4)3-yHy] (式中、R1,R2、R3、及びR4が独立して任意の直鎖基、分岐基、又は環状アルキル基、或いは置換アルキル基であり、x、y=0、1、又は2である。) で表されるアルキルアミノ置換ジシラン化合物を窒素源と反応させて、前記窒化シコン材料を形成することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

C01B 21/068 , C23C 16/42 , H01L 21/318

FI (3件)：

C01B21/068 Y , C23C16/42 , H01L21/318 B

Fターム (27件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA35 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA01 , 4K030FA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF02 , 5F058BF03 , 5F058BF04 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BJ04

前のページに戻る