半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-046239
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263643
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】トンネルダイオードと化合物半導体FETとの集積回路に関し、小型かつ製造が容易な構造を提供することを目的とする。【構成】ソース領域31又はドレイン領域32上に第一の導電型のコンタクト層2eが設けられた化合物半導体電界効果トランジスタと,コンタクト層2eへ接続するトンネルダイオードとを集積した半導体装置において,トンネルダイオードは,ソース領域31又はドレイン領域32上のコンタクト層2e上に設けられ,かつ,第一の導電型の第一高濃度層3を下層とし第二の導電型の第二高濃度層4を上層として構成され,コンタクト層2eと第一高濃度層3との間にエッチストッパ層7が設けられ,エッチストッパ層7,第一及び第二高濃度層3,4はエピタキシャルに堆積して構成する。

請求項（抜粋）：

ソース領域(31)又はドレイン領域(32)上に第一の導電型のコンタクト層(2e)が設けられた化合物半導体電界効果トランジスタと,該コンタクト層(2e)へ電気的に接続するトンネルダイオードとを同一基板(1)上に集積した半導体装置において,該トンネルダイオードは,該ソース領域(31)又は該ドレイン領域(32)内直上の該コンタクト層(2e)上に設けられ,かつ,第一の導電型の半導体からなる第一高濃度層(3)を下層とし第一の導電型と反対の第二の導電型の半導体からなる第二高濃度層(4)を上層とするpn接合を有して構成され,該コンタクト層(2e)と第一高濃度層(3)との間に,第一の導電型の化合物半導体からなるエッチストッパ層(7)が設けられ,該エッチストッパ層(7),該第一高濃度層(3)及び該第二高濃度層(4)は,該コンタクト層(2e)上に堆積されたエピタキシャル層であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/095 , H01L 21/306 , H01L 29/88

FI (3件)：

H01L 29/80 E , H01L 21/306 B , H01L 29/88 F

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