特許

J-GLOBAL ID：200903009661148023

磁気抵抗読取りトランスデューサ

発明者： マオ-ミン・チェン ,  ケニス・チン-ヤン・クン ,  ロドニー・エドガー・リー ,  ニール・レスリー・ロバートソン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-227171
公開番号（公開出願番号）：特開平6-180825
出願日： 1993年09月13日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：

【要約】【構成】 磁気抵抗(MR)センサはMR素子を外部回路に電気的に接続するための電気伝導部を有する。電気伝導部はMR素子、すなわちMRセンサの端部領域33のバイアス層に重なってMRセンサのエアー・ベアリング面(ABS)に延びる第1又は主の伝導層を有する。第2の伝導層は第1の伝導層上に付着され、その位置はセンサのABSからオフセット、すなわち離れている点から始まっている。【効果】 第2の伝導層はセンサの伝導部を厚くして伝導部全体の抵抗を減らすようにしてある。第2の伝導層はセンサのABSで露出しないので、伝導性の材料の機械的及び電気化学的必要条件が非常に少なくなり、第2の伝導層の材料の選択幅が広くなる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された磁気抵抗材料の層と、複数の電気伝導部であって、各電気伝導部は、磁気センサの露出面に延びる第1の伝導層、及び上記第1の伝導層と電気的且つ物理的に接触する第2の伝導層を有し、上記第2の伝導層は上記露出面から離れた位置にある上記第1の伝導層上の位置から延び、信号出力手段が、1対の上記電気伝導部間において接続されるとき、上記磁気抵抗材料の層によって捕捉された磁界に応答する上記磁気抵抗材料中の抵抗変化が検知できるよう、離隔した位置で上記磁気抵抗材料の層に電気的に結合された上記複数の電気伝導部と、を有する磁気センサ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-003306
  
• 特開平2-068706