特許
J-GLOBAL ID:200903009667477525
半導体装置製造用接着シートおよび半導体装置の製造方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
鈴木 崇生
, 梶崎 弘一
, 尾崎 雄三
, 谷口 俊彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-238404
公開番号(公開出願番号):特開2004-075853
出願日: 2002年08月19日
公開日(公表日): 2004年03月11日
要約:
【課題】基材層および接着剤層を有する接着シートにおける当該接着剤層上で、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される半導体装置製造用接着シートであって、耐熱性に優れ、かつ製造工程終了後には、半導体装置からの離型性がよい非シリコーン系の接着剤層を有する接着シートを提供すること。【解決手段】基材層および接着剤層を有する接着シートにおける当該接着剤層上で、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される半導体装置製造用接着シートであって、前記接着シートの接着剤層が、芳香族ビニル化合物重合体ブロックと共役ジエン系化合物重合体ブロックを有するブロック共重合体および/またはその水添物を含有しており、かつゲル分率が50重量%以上になるように架橋されていることを特徴とする半導体装置製造用接着シート。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基材層および接着剤層を有する接着シートにおける当該接着剤層上で、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される半導体装置製造用接着シートであって、
前記接着シートの接着剤層が、芳香族ビニル化合物重合体ブロックと共役ジエン系化合物重合体ブロックを有するブロック共重合体および/またはその水添物を含有しており、かつゲル分率が50重量%以上になるように架橋されていることを特徴とする半導体装置製造用接着シート。
IPC (7件):
C09J7/02
, C09J123/04
, C09J133/02
, C09J133/14
, C09J153/02
, C09J163/00
, H01L21/56
FI (7件):
C09J7/02 Z
, C09J123/04
, C09J133/02
, C09J133/14
, C09J153/02
, C09J163/00
, H01L21/56 T
Fターム (41件):
4J004AA01
, 4J004AA02
, 4J004AA05
, 4J004AA06
, 4J004AA07
, 4J004AA13
, 4J004AB06
, 4J004CC02
, 4J004FA05
, 4J040BA202
, 4J040DA021
, 4J040DA031
, 4J040DA041
, 4J040DA051
, 4J040DA061
, 4J040DA071
, 4J040DF011
, 4J040DF061
, 4J040DM011
, 4J040EC062
, 4J040EC072
, 4J040EC122
, 4J040EC231
, 4J040EC262
, 4J040EF181
, 4J040GA07
, 4J040GA11
, 4J040HB47
, 4J040HD41
, 4J040JA09
, 4J040JB07
, 4J040KA16
, 4J040LA06
, 4J040LA08
, 4J040NA20
, 5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061CA21
, 5F061CB12
, 5F061CB13
, 5F061EA03
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