特許
J-GLOBAL ID：200903009670359223
不揮発性記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-333581
公開番号（公開出願番号）：特開2004-171625
出願日： 2002年11月18日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】充電時間を短縮して、高速なデータ読出を実行する不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】データ読出時に、データ線DB,/DBの電圧レベルを変化させるためのキャパシタCda,Cdbをそれぞれ設ける。また、キャパシタCda,Cdbと電気的に結合された信号線φkuを設ける。キャパシタCda,Cdbは容量結合により、信号線φkuの電圧レベルに応じてデータ線DB,/DBを充電する。これにより、早期にデータ線DB,/DBの充電を実行することができ、高速なデータ読出を実行することができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
各々において、データ読出時に記憶データに応じた通過電流が流れる複数のメモリセルと、
前記データ読出時に少なくとも1本、前記複数のメモリセルのうちの選択されたアドレスに対応する選択メモリセルを介して第1の電圧と接続される複数のビット線と、
前記複数のビット線に対応して共通に設けられ、前記データ読出時に前記複数のビット線のうちの前記少なくとも1本のビット線と電気的に結合されるデータ線と、
前記選択メモリセルとの比較に用いられる基準電流を生成する基準電流供給部と、
前記データ読出時に、第2の電圧と接続されて前記データ線に対して通過電流を供給するとともに、前記通過電流と前記基準電流供給部により生成された前記基準電流との電流差に応じた前記選択メモリセルの前記記憶データを読出すための差動増幅部と、
前記データ線に対応して設けられ、前記データ読出時に容量結合により前記データ線の電圧レベルを変化させるためのレベル調整回路とを備える、不揮発性記憶装置。
IPC (3件)：
G11C11/15
, G11C13/00
, G11C16/06
G11C11/15 165
, G11C13/00 A
, G11C17/00 634Z
