特許
J-GLOBAL ID：200903009672880451
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-246367
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097017
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、薄層化した半導体ウェハを絶縁性基板に転写する際の接着剤中に気泡が発生せず、転写した半導体ウェハを支持基板より剥離する際に半導体素子表面に傷が付かないようにすることを目的とする。【構成】 半導体素子を形成したSiウェハ1の前記半導体素子形成面側に高分子樹脂膜11を塗布して素子表面を平坦化した後、前記半導体素子形成面側を支持基板2に接着剤3Aで接着する工程、前記Siウェハ1の素子形成面の裏面側を研磨して薄層化した後、該Siウェハ1の裏面側に高分子樹脂膜11を塗布して硬化後、該高分子樹脂膜11をプラズマエッチングで粗面化した後、該粗面化した面を接着剤3Bで絶縁性基板4に接着する工程、前記Siウェハ1 の素子形成面側の接着剤3Aを溶解して、Siウェハ1を支持基板2より分離して薄層化されたSiウェハ1を絶縁性基板に転写する工程、前記Siウェハ1の素子形成面側に塗布した高分子樹脂膜11をエッチング除去する工程を含むことで構成する。
請求項（抜粋）：
半導体素子を形成した半導体ウェハ(1) の前記半導体素子形成面側に高分子樹脂膜(11)を塗布した後、前記半導体素子形成面側を支持基板(2) に接着剤(3A)で接着する工程、前記半導体ウェハ(1) の素子形成面の裏面側を研磨して薄層化した後、該半導体ウェハ(1) の裏面側に高分子樹脂膜(11)を塗布して硬化後、該高分子樹脂膜(11)をプラズマエッチングで粗面化した後、該粗面化した面を接着剤(3B)で絶縁性基板(4) に接着する工程、前記半導体ウェハ(1) の素子形成面側の接着剤(3A)を溶解して、半導体ウェハ(1) を支持基板(2) より分離して薄層化された半導体ウェハ(1) を絶縁性基板(4) に転写する工程、前記半導体ウェハ(1) の素子形成面側に塗布した高分子樹脂膜(11)をエッチング除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/02
, H01L 21/304 321
