特許

J-GLOBAL ID：200903009673967771

半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 花岡 秀安
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-300450
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136098
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【構成】プラズマエッチング装置において、プラズマエッチング中に、受光窓118,117でプラズマ発光をモニタ-し、そのプラズマ発光強度により、反応ガス流量をマスフロコントロ-ラ-115,116にて制御して、チャンバ-内のプラズマ密度を均一化させる。【効果】プラズマ密度が均一化しSiO2エッチングにおいてウェハ-面内のSiO2のエッチングレ-トとの均一性が向上する。同様にプラズマエッチング装置にてポリシリコンまたはアルミニウム合金のエッチングを行うと同様な効果が期待できる。

請求項（抜粋）：

プラズマを利用したエッチング装置において少なくとも2つ以上のプラズマ受光センサ-を有し、また、少なくとも2つ以上の反応ガス噴出口を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。