特許

J-GLOBAL ID：200903009677265160

光電変換素子

発明者： 中島 武 ,  丸山 英治
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-023967
公開番号（公開出願番号）：特開2007-207957
出願日： 2006年01月31日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：

【課題】 信頼性が向上された光電変換素子を提供することである。【解決手段】 n型単結晶シリコン基板1の受光面上にi型非晶質シリコン層2およびp型非晶質シリコン層3が形成され、p型非晶質シリコン層3上に透明導電膜4が形成されて、光電変換部101が構成される。光電変換部101上に、表面に孔8,8...を有する集電極5が形成され、該集電極5を覆う保護層7が形成される。該保護層7は、集電極5表面の孔8,8...の表面を被覆するように形成されている。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

光電変換部と、 当該光電変換部上に設けられた、多孔性の集電極と、 当該集電極表面を覆う保護層とを有し、 当該保護層は、前記集電極の表面領域の孔の内部に浸透し、該孔の表面を被覆するように形成されていることを特徴とする光電変換素子。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (2件)：

H01L31/04 M ,  H01L31/04 H

Fターム (14件)：

5F051AA05 ,  5F051BA18 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA15 ,  5F051CB13 ,  5F051CB27 ,  5F051CB30 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA14 ,  5F051FA17 ,  5F051GA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-271033   出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (1件)

• 太陽電池モジユール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-260716   出願人：キヤノン株式会社