特許
J-GLOBAL ID：200903009684626011
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332961
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193129
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の絶縁膜として埋め込み性が良好であるとともにボイドを有しない優れた膜質のものを形成する。【構成】 シリコン基板11の表面にBPSG膜12を形成し、その上にその上にアルミ配線13を形成し、さらにプラズマ-TEOS CVD 膜14を形成した後、タンタル酸化膜、チタン酸化膜などの金属酸化膜より成る中間絶縁膜15を形成し、次にTEOS, TMOSなどの有機ケイ素化合物を原料ガスとする化学気相成長、例えば常圧オゾン-TEOS CVDにより絶縁膜16を形成する。このように金属酸化膜より成る中間絶縁膜を形成することにより埋め込み性が良く、ボイドが無く、良好な膜質の絶縁膜を形成できる。
請求項（抜粋）：
化学気相成長によって半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、下地絶縁膜の上に100 オングストローム以下の薄い絶縁膜を形成した後、有機シラン化合物を原料として用いる化学気相成長によって絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
