III-V族化合物混晶半導体薄膜の気相成長方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内田明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-067331
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283141
出願日： 1994年04月05日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 III 族元素としてAlと他の元素を含有するIII-V族化合物混晶半導体薄膜の有機金属気相成長方法において、Al組成の精密な制御を可能とした気相成長方法を提供しようとするものである。【構成】 V族有機金属化合物に添加するV族水素化物の流量を調節することにより、Alの混晶比を制御することを特徴とするIII-V族化合物混晶半導体薄膜の有機金属気相成長方法である。

請求項（抜粋）：

III 族元素としてAlと他の元素を含有するIII-V族化合物混晶半導体薄膜の有機金属気相成長方法において、V族有機金属化合物に添加するV族水素化物の流量を調節することにより、Alの混晶比を制御することを特徴とするIII-V族化合物混晶半導体薄膜の有機金属気相成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C30B 25/14 , C30B 29/40 502

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平2-203520
特開平3-222323
特開平3-208890

審査官引用 (3件)

特開平2-203520
特開平3-222323
特開平3-208890

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