特許

J-GLOBAL ID：200903009685302198

III-V族化合物半導体結晶の切断方法

発明者： 西浦 隆幸 ,  大山 佳伸
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-187730
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017755
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】 従来内周刃スライサ-によってしか切断できなかったGaAs、InPなどIII-V族化合物半導体単結晶インゴットをワイヤソ-によって(100)面のウエハを断面が歪まないように切断できるようにすること。【構成】 ワイヤソ-のワイヤの走行方向を劈開方向に対して,22.5度〜67.5の角度をなすようにする。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体単結晶インゴットから{100}±15°以内の面方位を持つウエハをワイヤソ-によって切断する際において、ワイヤの往復する方向がインゴット単結晶の劈開方向から22.5°〜67.5°離れた方向であるようにしたことを特徴とするIII-V族化合物半導体結晶の切断方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 311 ,  B24B 27/06 ,  B24B 47/22

FI (3件)：

H01L 21/304 311 W ,  B24B 27/06 P ,  B24B 47/22